Главная  Мощные полупроводниковые приборы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 [ 10 ] 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190

Линия нагрузки генератора импульсов управления, построенная по результатам расчета, не должна проходить ниже точки пересечения линий, соответствующих зиачсЕШЯм £/у, пр, п min и /у, пр, и т1я. с другой стороны, линия нагрузки ие должна пересекать линии допустимой Mout-носгн потерь при данной длительности импульса и скважности, а может лишь касаться се (точка А на рис. 6). Если длительность нмпульса тока управления меньше указанных на рис 6. тогда допустимое значение тока управления определяют с помощью зависимости, приведенной на рис. 7 с учетом температурных условий зксилуатации приборов. На эгих зависимостях по оси ординат обычно откладываются значения отпирающего тока нмпульса управления в относительных единицах (или в процентах) к отпирающему постоянному току.

/ i\

\ t SQQMKC

Рис. 6

В 10 15 20tg.mc Рис. 7

Помимо перечисленных требований к импульсу управления, генератор управляющих импульсов должен обеспечить значение скорости нарастания тока управления не ниже заданной. Это необходимо для уменьшения потерь при включении тиристора, а также для уменьшения разброса значений времени включения при групповом соединении приборов. Параметр diyjdi является особенно важным для импульсных и высокочастотных тиристоров, работающих при больших скоростях нарастания тока в цепи анода.

При проектировании и эксплуатации аппаратуры с использованием тиристоров следует учитывать, что включение прибора током управления меньше минимально допустимого (током помехи) может стать причиной выхода его из строя из-за прохождения тока в узкой локальной зоне структуры тиристора. Для тиристоров с большим прямым током и высокой скоростью его нарастания даже однократное включение током помехи может привести к полному отказу тиристора.

Различного рода перенапряжения и воздействие напряжения на аноде со скоростью нарастания выше допустимого значения могут являться также причинами отказов тиристоров, так как для многих групп этих приборов недопустимо даже единичное нх переключение на большой прямой ток но цепп анода.

При проектировании схем выключения тиристора необходимо учитывать зависимости времени выключения от режима эксплуатации приборов, прг.водимых в настоящем справочнике. При этом рассчитанное время выключения схемы должно быть выше норм, указанных в справочных зависимостях, с учетом наихудших условий эксплуатации.

Пр воздействии различных факторов (температуры, влаги, хнми-ческнх, механических ц других ооэдействии) параметры, характеристики

2* 35



н некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от BFremHHX воздействий служат корпусы приборов. Корпусы приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, оптимальное соедя-яение электродов приборов со схемой

Необходимо иметь в виду, что корпусы отдельных типов приборов имеют ограничения по коррозиЙЕЮЙ устойчивости, поэто.чу при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности рекомендуекя покрывать их специальными лаками (например, типа УР-231 или ЭП-730).

Обеспечение отвода тепла от мош,ных полупроводниковых приборов является одной из главных задач обеспечения надежности тиристоров при конструировании аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов. Для охлаждения приборов используются теплоотрод-иые радиаторы, работающие в условиях естественного охлаждения вли с принудительным воздушным или жидкостным охлаждением. Могут быть также использованы конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверхность или хороший теплоот-вод. В этом случае контактная поверхность радиатора должна иметь шероховатость и неплоско-иараллельность не хуже указанных в справочнике или в стандартах по расчету охладителей. Крепление приборов к радиатору должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Если корпус прибора должен быть изолирован, то для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем прибор от радиатора.

При естественном охлаждении отвод тепла улучшается, если активные поверхности радиатора расположены вертикально, так как в это^ случае л>чше условия конвекции.

В условиях принудительного воздушного охлаждения ось прибора должна быть перпендикулярная, а ребра охладите.1я параллельны направлению потока охлаждающего воздуха.

При сборке приборов с радиатором необходимо использовать специальные ключи с нормированным усилием крутящего момента, а для приборов таблеточной конструкции - устройства с нормированным сжимающим усилием, Следует учитывать также, что превышение допус-стимых усилий создает дополнительные механические напряжения в кристалле полупроводникового элемента и может вызвать его раэруше-иие. При недостаточном усилии увеличивается тепловое сопротивление корпус-охладитель, в результате чего возможен выход прибора из строя вследствие его перегрева.

Для улучшения теплового контакта прибор-охладитель следует применять специальные теплопроводяшие пасты, например КПТ-8.

В процессе эксплуатации приборы необходимо периодически очищать от пыли или других загрязнений.

В процессе подготовки и проведения монтажа полупроводниковых приборов в аппаратуру механические и климатические воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ.

При рихтовке, формовке и обрезании выводов участок вывода около корпуса должен быть закреплен так, чтобы не возникали изгибающие или растягивающие усилия. Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны быть низковольтными. Расстояние от иор-пуса или изолятора до места лужения или пайки вывода должно быть не менее расстояния, указанного в ТУ. Очистка мест пайки от флюса производится жидкостями, которые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса (например, спирто-бензиновой смесью).



ЧАСТЬ ВТОРАЯ

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ

Раздел третий

Тиристоры импульсные

КУ108В, КУ108Ж, КУ108М, КУ108Н, КУ108С, КУ108Тг КУ108Ф, КУ108Ц

Тиристоры кремниевые диффузионные р-п~р-п. Предназначены рдя применения в качестве ключевых элементов в импульсных схемах при частотах повторения импульсов тока до 4 кГи.. Выпускаются в мета ллокерамическом корпусе таблеточной конструкции Анодом и като-цтл служат плоские основания Обозначение 1ипоноыинала и полярно-сти основных выводов приводится на корпусе Масса не более 45 г.


Электрические параметры

Постоянное напряжение в открытом состоянии при /ос-5 А

ие более .............

Импульсное напряжение в открытом состоянии при Use ш=

= /зс,п, /ос,к=50 А, (а=1 МКС, /у,пр.и = 4,5 л не более Неотпирающее постоянное напряжение управления при зс,в = изо,и, duicIdtdQ В/мкс не менее . Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при {ао. в=£/зс, п, Лу=оо, 7к=85С не более . . . ,

Повторяющийся импульсный обратный ток при £/ибр, и=

=f/o6p, п, Ry = oo, 7=85 С не более.....

ремя нарастания при Uac, и=Узс, а, /ос, и=50 А, h, ар и= 4,5 А не более:

КУ108В, КУ108Ж. КУ108С, КУ108М.....

КУ108Н, КУ108Т, КУ108Ф, КУЮБЦ......

5,0 В

50 В 0,1 В 2,5 мА 0.5 мА

0,1 мкс 0,3 мкс



1 2 3 4 5 6 7 8 9 [ 10 ] 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190