|
Главная Мощные полупроводниковые приборы 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 [ 179 ] 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 Ртпирающее постоянное напряжение управления при зс = 12 В ие более: Г„=-бОХ, /у от=0,8 А........ 8.5 В ГпгоХ, /у.от=0,4 А........ 5,0 В 7п=110Х, /у. т=0,25 Л....... 3,5В Неотпирающее постоянное напряжение управления при /зс,и=0,в7 Uac,n, RylO Ом, 7в=110Х не менее 0,3 В Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uac,a = U8c,u, Ry=oo, 7п=110Х не болес . , 15 мА Ток удержания при С/во 12 В, Ry = oo не более . . 0,2 А Ток включения при (/30 = 12 В, / и = 2 А, dijldt=. =2 А/мкс, /у в 50 мкс ие более....... 0,5 А Отпирающий постоянный ток управления при t/ae = = 12 В не более: Гп-60Х........... 0,8 А 7п=25Х...........* 0,4 А Гп=110Х........... 0,25 А Неотпирающий постоянный ток управления при С/зс.п = = 0,67 Сзсп, Яг=10 Ом, ГаИОХ не менее . . . 5,0 мА Время включения при С/ас,в = 100 В, /ос, я=ос, д шах, /л.и=1 А, diyidt=\ А/мкс, /у=50 мкс не более . . 20 мкс Время задержки прн 6ас, =100 В, /ос, ,щ=/ое, д шах, /у. и = 1 А, diy/dt=l А/мкс, fy=50 мкс не более . . 10 мкс Время обратного восстановления при С/овр,Е = 100 В, /ос. ж = /ос. д max, {dhQfdt)/-.п = i А'мКС, = 0,5 МС, 7п = 110Х не более.......... 20 мкс Заряд обратного восстановлении при Собр. ii = 100 В, (оо. н = /ос. д max, (diaa/dt) сп = I А/МКС, (я = 0,5 МС, 7*п = 110Х не более.......... 60 мкКл Динамическое сопротивление в открытом состоянии при 7п=110Х не более: TCI71-200 ............ 1.90 чОм ТС171-250............ 1.48 мОм Тепловое сопротивление переход - корпус не более . , 0,15 Х/Вт Предельные эксплуатащюнные данные Пояторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии............. 200-1200 В Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии............. 1,12 (/зс. п В . Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 (/эо. □ В /Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии........... 0,75 (/ао,п В Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при (/ас, в= 0,67 Uac, п, /ое, н'=/ос, д щпх, /и=5 мс, dtoc/d/=0,1 А/мкс, (/ =20 В, (, ир=1 мкс, ty = SO мкс, /?у = 5 Ом, Гп - ИОХ: группа 8............ 6,3 В/мкс группа 4 ............ 10 В/мкс группа 5............ 16 В/мкс группа 6............ 25 В/мкс группа 7 i........... 50 В/мкс Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /=50 Гц, 8=180% Гя=70Х: ТС171-200............ 200 А ТС171-250 ,........... 250 А Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Собр = 0, и = 10 мс, Гп-гИОХ! ТС171-200 ............ ТС171-250 ............ Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (Узо = 0,67 £/о, а> /ое, 2 /оо. з mai, / = 1 5 Гц, Су. = 20 в, /у, ЕР - I мкс. fy = 50 мкс, Лу=5 Ом, 7в=110Х.......... Минимально допустимый импульсный ток управления Максимально допустимый импульсный ток управления Температура перехода Температура корпуса 2140 А 2400 А 16 А/мкс 0,25 А 12 А От -60 до +1I0X От -60 до +110 С Укаэаиия по монтажу Закручивающий момент не более 60±5 Н-м. у, ял 30 20 10 \14гО
1,5 2,0U ,B
2gc.ti*A 300 208 700
0,8 7.2 \к/7д^0Т,1§ШвмМс1
2 4 5 5 7ц,пр,нг7 W 3,0 2,8 2,2 18
б в fO tn.HC 7Л
2бе,иАР^8А 3,3 2,3 2,5 2,1 4,5 .0 3,5 3.0 2,5 2,8
rCj7/-250 1/OBD = 0 Tn25C J25T IQ 28 S8 80WOt,HC 2 4 8 3 re U,MC .8 3,5 3,0 2A 2J.
Ч 6 tg,w 2,3 19 7,5 17
70 2й k8 80 80m i,MC |