Главная  Мощные полупроводниковые приборы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 [ 183 ] 184 185 186 187 188 189 190

Иределыгые эксилуатациониые данные

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом

состоянии............. 500-1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом

состоянии............. 1,П (/эс, я в

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 Vac, п В Максимально допустимое ностоянное напряжение в закрытом состояния....... ... 0,6 Сзс, U В

Повторяющееся импульсное обратное наприжсние . . 500-1200 В Неповторяющееся импульсное обратное напряжение , , 1,11 i/oop.nB Рабочее импульсное обратное напряжение .... 0,8Соор. иВ Максимально допустимое постоянное обратное напряжение .............. 0,6 (7оар, □ В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/ao. 11 = 0,67 i/зс, п, = ОО, Та= = 125 С:

группа 2............ 50 В/мкс

группа 3............100 В/мкс

группа 4 ............ 320 В/мкс

группа 5 ............ 500 В/мкс

группа 6............ШОО В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии нри /= 50 Гц, В = 180*, Гп=125С:

Т140-63 ............. 63 А

T14Q-80 ............. 80 А

Максимально допустимый действующий ток а открытом состоянии при f=50 Гц, B=180 7д=125С:

Т140-63 ............. 98 А

TI40-80 .....,....... 125 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при i/o6p=0, s=IO мс, 7п=125Т:

Т140-63 ............. 1200 А

Т140-80 ............. 1350 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при i/ac,H=0,67 t/ac, и, /ос, в = /оо, ср mas, /=

= 1-5 Гц. /у, пр, и=0,5 А, /у, ир=1 мкс, (у = 50 мкс,

7п=125 С .............IOOA/MKC

Температура перехода > . ..). i . От -50

до --125С

6.7. Фототиристоры бескорпусные ТФ130-40, ТФ130-50

Фототнристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в ключевых высоковольтных модулях, управляемых от внешнего источника света. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых электродов приводится на бирке-Масса фототирнстора не более 1,3 г.

Габаритный чертеж, каи у TI30-40.



Электрические параметры

Импульсное напряженне в открытом состояннн при

/oD, и = 3,14 /ос, ср шак, (и=10 мс нб болев .... 1,65 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии

при t/зс, и -£/эс, п, Гп=110*С не более..... 3,0 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при t/3c,u =

= t3c,n, Гя=110Х не более........ 3,0 мА

Длина волны источника излучения ...... 0,9-1,2 мки

Мощность источника излучения.......10 мВт

Предельные аксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом

состоянии............. 600-1000 В

Неповторяющееся импульс1юе напряжение в закрытом

состоянии............. 1,1 (/зс, о В

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,6 (/зс. п В Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии........... 0,6 t/зс, w В

Повторяющееся импульсное обратное иапряжение . . 500-1000 В Неповторяющееся импульсное обратное напряжение . . 1,1 (/обр, о В Рабочее импульсное обратное напряжение , . . .0,8 UoOp, п В Максимально допустимое постоянное обратное напряженне ..............0,6 С/рср, п В

Критическая скорость нарастання напряжения в закрытом состоянии при (.ее, и= 0,67 Uao, и, Гп=110°С:

группа 1..........., 20 В/мкс

группа 2......50 В/мкс

группа 3............100 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f=50 Гц, 6=180°, Гп = ИОС:

ТФ130-40........... , 40 А

ТФ130-50 ............ 50 А

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /=50 Гц, = 180°, Гц=ПО°С:

ТФ130-40 ............ 63 А

ТФ130-50 ............ 78 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/o6p=0, itt=IO мс, Ги=110°С:

ТФ130-40 ............ 750 А

ТФ130-5О............ 800 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при t/ae, в = 0,67 (/ав. и, /дс, к = 2/ос. ср max,

f=l-5 Гц, Га=110С.........100 А/мкс

Температура перехода..........От -БО

до +110°С

Указания по монтажу

Расстояние от источника излучения до фоточунствительной поверхности не должно превышать 1-1,Б мм,

ТФ 140-63, ТФ 140-80

Фототиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применении в ключевых высоковольтных модулях, управляе-мы,ч от внешнего источника света, Выпускаются н бескорпусном не-



полнении. Анодом н катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых электродов приводится на бирке. Масса фототиристора не более 2,6 г. Габаритный чертеж, как у Т140-63.

Электрические параметры

Импульсное напряжеиие в открытом состоянии прн

/оо.н = 3,14 /occpmai, te = lO МС НС бОЛСС .... 1,65 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом СОСТОЯНИИ t

при Уэо. B = t/ac, п, Гя=110С не более..... 6,0 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток прн

Uu9P.K=Uo6p.a, Гп=ПО*С не более..... 6.0 мА

Длина волны источника из<1учеикя...... 0,9-1,2 мкн

Мощность источника излучения....... 10 мВт

Предельные эисплуатациомные данные

Повторяющееся импульсное иапряженне в закрытом

состоянии............. 500-1000 В

Неповторяющееся импульсное напряжеиие в закрытом

СОСТОЯНИИ.............1,1 t/ac, п В

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 йзс, и В Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянип........... 0,6 Сзс.п в

Повторяющееся импульсное обратное напряжение . , 500-1000 В Неповторяющееся импульсное обратное напряжение . , 1,1 t/овр. п В Рабочее импульсное обратное напряжение . . . .0,8 i/oop, и В Максимально допустимое постоянное обратное напряжение .............. 0,6 t/обр. п в

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии прн (/зй,я=0,67 Uao.в, 7n=ilO°C:

группа 1............20 В/мкс

группа 2............50 В/мкс

группа 3............100 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при /=50 Гц, Э=180, Гп==ПОХ:

ТФ 140-63 ............ 63 А

ТФ 140-80 ............ 80 А

Максимально допустимый действующий ток я открытом состоянии при f=50 Гц, B = l80, 7*0=110 С:

ТФ 140-63 ............ 98 А

ТФ140-80 ............ 125 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uo<tp=0. (я=10 мс. Гв=110*С:

ТФ 140-63 ............ 1200 А

ТФ140.80 ............ 1350 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при £/эп, и = 0,67 t/sc, п, /ос. и 2/ос, ср mas,

/=1-5 Гц, Гп=110Х.........100 А/мкс

Температура перехода . >........От -50

до -I-110X

Указания по монтажу

Расстояние от источника излучения до фоточувствительиой поверхности не должно превышать 1-1,5 мм.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 [ 183 ] 184 185 186 187 188 189 190