Главная  Мощные полупроводниковые приборы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 [ 186 ] 187 188 189 190

Неповторяющееся импульсное напряженне в закрытом состояннн.......... 1,12 Uac, л В

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии ..............0,8 Una. а В

Максимально допустимое постоянное напряжение в

закрытом состоянии.........0,75 Use. п В

Повторяющееся импульсное обратное напряжение , 400-1600 В Рабочее импульсное обратное напряжение ... 0,8 (/оор. п В Неповторяющееся импульсное обратное напряжение 1,12 Uonv.a В Максимально допустимое постоянное обратное напряжение ............0,75 t/обр, п В

Максимальное напряжение изоляции основания модуля ............. 2500 В

Критическая скорость нарастання напряжения в закрытом состоянии при (/>е, т = 0,67 t/эе, я, /?у = >,

Гп-125 С............ 200-1000 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при /=50 Гц, 3=-180 7 =85 С . . . 160 А Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /=50 Гц, 7,=85 С . , . , 250 А Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии прн (/обр=0, /н=10 мс, 7п=125 С . . . . 3,3 кА Критическая скорость нарастания тока в открытом

состоянии прн Uac, и = Uac и, /ос, и =2 /ос, ср mai,

7 п=125 °С . . .......... 40 А/мкс

Температура перехода . , ,......От -60до +125°С

МТТ100, МТТ125

Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус МО нуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типоиоминала приводится на корпусе. Масса не более 300 г.

26 , 2S




Электрическяе паранетры

Импульсное напряжение в открытои состоянии при /ое, =3,14 /ос, рт ж, (=10 мс не более:

МТТТОО.............. 1,75 В

MTTI25.............. 1,25 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при f/ao = 12 В не более:

Гп=-60 X, /у, от = 1,0 А . ........ 10 В

Гп=25 С, /у, ог=0,4 А.......... 4,0 В ,

L3c,B=0.67Lao,B. / 11=125 °С не менее.......

Неотпирающее лостоянное напряжение управления при 0,3 В \ Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при

f/..c.. = f/oo,n, /?у-оо. Г„-25 С не более...... 6,0 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток прн f/oop, в

= t/efip, /?у >, 7п=125 С не более....... 6,0 мА

Отпирающий постоянный ток управления при (/эо = 12 В не более:

Гп=-60 X............. 1,0 А

7- =25 X.............. 0,4 Л

Время включения прн UaeOQ В, /ос, к=/оя, ср шах не более 10 икс

Время выключения прн Uac в^О.б? Uac. и, dUacldt= = {dUacldt) p, Ld6p,b=100 В, /ос.и = /оо.сртах, / =]25Х

не более.........100 мкс

Тепловое сопротивление переход - корпус не более:

МТТЮО..............0,3 Х/Вт

МТТ125..............0,16Х/Вт

Сопротивление изоляции основания модуля не менее:

при нормальных условиях........ . 30 МОм

при относительной в-1ажностн (95±3)%.....0,5 МОм

Предельные вксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение-в закрытом

состоянии............ 400-1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии...........1,12 Use, а В

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии ..............0,8 Uac, в В

Максимально допустимое постоянное напряжение в

закрытом состоянии.........0,75 Use, п В

Повторяющееся импульсное обратное напряжение . 400-1600 В Неповторяющееся импульсное обратное напряжепие 1,12 (/оор, п В Раб№1ее импульсное обратное напряжение ... 0,8 f/oop, л В Максимально допустимое постоянное обратное напряжение ............0,75 f/eep. а В

Максимальное напряжение изоляции основания модуля ............. 2500 В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при f/ o.H = 0,67 (/ас, п, /?у=< ,

г = 125 X........ ... 200-1000 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состояннн при /=50 Гц, р-180. Гн=85 X:

МТТЮО........... 100 А

МТТ125 ........... 125 А

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /=50 Гц, ГввЗ С:



МТТЮО 160 А

МТТ125 ........... 200 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоя- , ,.1 ,

НИИ при (7оср=0, /в=10 мс, 7п=125 °С: V

МТТЮО ........... 2,8 кД .

i МТТ125........... 3,0 кА, .

I Критическая скорость нарастания тока в открытом

S СОСГОЯННН прн t/зс. и = (/зс. п, /ос, и = 2/оо. ор шах,

; Гп=125 X............ 40 А/мкс

Температура перехода........,0т-60 до-1-125С

МТТ160

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение тнпономинала приводится на корпусе. Масса не более 500 г.

Габаритный чертеж, как у МТТЮО.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии прн /ос,в =

= 502 А, /н=10 мс не более......... 1,75 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при t/jc = l2 В не более:

Ти=-&0 X, /j, от = 1,0 А......... 10 В

Гп=25 X, /у, от=0,4 А.......... 4,0 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при

С/зс.и=0,67(;зс,п, Гп=125Х не менее...... 0,3 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при

t/.c, H=t/3c. п, /?у = а>, Гп=125 X не более...... 6,0 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при to6p.H =

= t/o6p.n, Ry=<x>, Гп=125 X не более . ..... 6,0 мА

Отпирающий постоянный ток управления при t3c = 12 Б не более.

Гп=-60 X............. 1,0 А

Гп = 25 X.............. 0,4 А

Время включения при (Узс = 100 Б, /ос, п^/оо, cpmai не более 10 мкс Время выключения при tac, й=0,67 tjo, п, du3cldt=

= {dU3c!dt)up, t/oOp, и = 100 В, /ос, и=/ос, ор mat, Тп= 125 °С

не более...............ЮОмкс

Тепловое сопротивление переход-корпус не более . , .0,16°С/Вт Сопротивление изоляции основания модуля не менее;

при нормальных условиях.........30 МОм

при относительной влажности (95±3)%.....0,5 МОм

Преде.1ьные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом

состоянии............ 400-1600 Б

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии . . . ...... 1,12 Ubc, а В

Рабочее импульсное напряженке в закрытом состоянии . ( ( ( а 0,8 t/зс, □ В



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 [ 186 ] 187 188 189 190