|
Главная Мощные полупроводниковые приборы 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [ 38 ] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 тиристоров с охладителями должна производиться в соответствии с инструкцией завода-изготовителя. Неплоскостность контактных поверхностей, вкладышей и охладителей-не более 0,01 мм, чистота обработки не хуже 2,5. Не допу* скается эксплуатация тиристоров без обеспечения необходимого внешнего сжатия со стороны оснований: Т2-320 ..........13 000-17 000 И;. ТЗ-320 .......... 10 000-14 000 Н; Т500 ........... 13 000-17 000 Н. Сочетание классификационных параметров для типономннадов я 3 а Ъ выкл мкс Группы классификационных параметров J I 2 I 3 I 4 I 5 I 6 I i I 2 I 3 I t I 23 I 4 I 5 I 6 Значения классификационных параметров 20 Sot002O0S0QlQQ0J250l 50 100 20 40 7о| 10020040U Т2-320 1-14 100- -1400 ТЗ-320 16--24 1600- -2400 1-16 100- -1600 2538 2080 1588
ISBB ZOOB 1580 1008
2588 2880 mo mo 5BB 0
}fi 2,8 3,8 fyfiUg ,e !,Q K5 2,0 2,5 5,0(/ в hO 1,5 2,8 Ofc ,8 Классы ,мА IB 20 2* 24 ZQ 16 Классы К л а с с ы Н л а с а ы 10 8 6 и
8 6 If
0,6 ly, A 0,6 Iy,A Ту,07,и /!у, qt,h{2B0 мкс ) Xее, УАР Ik 12 п т4 YofpO-Bspj
20 60 80100 t, HQ 1сс,>/дО t А
к 6 t ,MC W 60 80 TOO t,fiC k 5 t ,MC 10 20 0 S8 80mt,m |