Главная  Мощные полупроводниковые приборы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 [ 46 ] 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190

iBBC. 080


20 JO

(dioc/dtJcmA/MfC

n-500J630J800

CSOOA $JOA ZdOOA

UcmoA

Ю 20 30 ttO

(digc/dtUnAJNKG

n-5Q0j630j800

5 6


0,3 0,1 0,}

0.Ч- 0,6 0,8 Ю Щс/ищп

n-SDD, T630,7800

2т(п.к}Л/ВТ

0,0J


103 fQ-Z f

10- 10 Ю' 10t;ff

T9-250

Тиристор кремниевый диффузионный p-n-p-n. Предназначен для применения в статических преобразователях электропривода постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц и других силовых установках преобразования электроэнергии. Выпускается в металлокерами-ческом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом служат Плоские основания. Обозначение типоиоминала и полярности приводится на керамической изоляторе и на бирке. Масса ие более ISO г.




Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при

/ос. в=3,14/ос cpmai, /н= 10 МС не болвб .... 1,85 В

Пороговое напряжение не более ...... 0,96 В

Отпкраюшее постоянное на[[ряжение управления при f/ao = 12 В не более:

Гя--50 °С, /г. от = 0,8 А........ 9 В

7 =25°С, /у ог = 0,3 А........ 5 В

7 =125 X /у. ог=0,2 А........ 2,5 В

Неотниоающее импульсное напряжение управления при

f/ac, n = t/3c, D, Ry = 20 Ом, 7 =]25 °С не менее ... 0,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии

при i/ac, и = С/вс, п, Ry = oo, Гп=]25 С не более ... 15 мА

Ток удержания при Uac = l2 В, ,=оо не более 0,15 мА

Ток включения при /у=1 А, dijldt=\ А/ьякс, />= 5 мкс

1е более.......... , . 0,35 А

Повторяющийся имлульсный обратный ток прн

f/oop, n = f/oO[i, II, /?у = оо, 7п= 125 °С не более ... 15 мА

Обратный ток восстановления при i/odp, п= 100 В,

/ос,и = /ос, ср mds, {dic,cjdt)cu = S ./МКС, 7п=125С

не более.......... 325 А

Отпирающий постоянный ток управления при Uac\2 В

не более:

7п = -50 С........... 0,8 Л

Гп=25 X............ 0,3 А

7п=125 С........... 0,2 А

Неотпирающий постоянный ток управлення при f/ас.к^

= f/ac, 1г, Rf*20 Ом, 7 -125 °С ие менее .... 15 иА

Время включения при f/ao = 100 В, /со, я = /ос, ор mar,

/у -1 А, diyfdt = l А/мкс, fy-50 мкс не более ... 30 мкс

Время задержки при f/ao 100 В, /ос, н = ос, ср тат,

/у-1 А, rf/y/rf/-1 А/мкс, (у= 50 мкс не более ... б мкс Время выключения при i/jc. п=0,67 f/jc, п, dUacjdt = (dUac/dl),.p, f/oCp, н ЮО В, /ос, п = /ос, ср тат, (dioc/0cn = 5 А/мкс,7п= 125°С не более-

группа I ............

группа 2 . . . . ........

группа 3 ............

группа 4 . ...........



Ппрмя обпатного восстановления при i/osp, ii== 100 В, /оо =00 ершах. idUcldi)=b А/мкс, 7п-125 С не

более............ 20 мкс

Чапяд обратного восстановления при £/оср, и=-100 В, /ос -/cD.cp ai, (</.<.c/0cii=5 А/мкс, Гп=]25 =С не

более..............440 мкКл

Динамическое сопротивление в открытом сосгоякии не

более .............. 1.2 мОм

Тепловое сопротивление переход - корпус не более . 0,057 С/Вт

Предельные вксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии ............. 400-1600 В

Неповторяющееся импульсное напряженче и закрытом

состоянии............. 1,12 Сзс, D В

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии 0,8 t/ac.oB

Л\акснмально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии........... 0,75 Ue. п В

Повторяюшееся импульсное обратное напряжение . . 400-1600 В Неповторяющееся импульсное обратное напряжение . 1,12 i/oep.n В Максимально допустимое постоянное обратное иапряжение .............. 0,75 [/обр, п В

Критическая скорость нарастання напряжения в закрытом состоянии при /эс,и=0,67 Узе щ Ry = <xi, Гп

-125 С не более:

группа 1............ 20 В/мкс

группа 2............ 50 В/мкс

группа 3............ 100 В/мкс

группа 4 ............ 200 В/мкс

группа 5........... . 500 В/мкс

группа 6............ 1000 В/мкс

Максимально допустимое обратное постоянное напряженне управления........... 0,5 В

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при /=50 Гц, =180 , 7к=85С .... 250 А Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /-50 Гц, р=180 7к=85 С . . , . 400 А Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии

при L 5p-0. in = 10 мс, Г„=-125С...... 5500 А

Защитный показатель при 1/овв=0, и=-10 мс, Гп -

-125 С- 150 кЛг-с Критическая скорость иарастаиия тока в открытом состоянии при Уоо, i - f/ac, в, /ос,и = 2 /ос,срИ 1, diyfdt = 1 А/мкс, 5 Гц, /у = 50 мкс, Гп=-!25°С;

группа 1............ 20 А/мкс

группа 2............ 40 А/мкс

группа 3............ 70 Л/мкс

группа 4............ 100 А/мкс

группа 5........... . 200 А/мкс

А^инимально допустимый прямаГг нмпульсный ток управления . . . 1 А Максимально допустимый прямой импульсный ток управления ,............ 10 А



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 [ 46 ] 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190