Главная  Мощные полупроводниковые приборы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190


Zun-Hl CIВт

D 20 hO 60 80 WO

(dioc/dijcn, AImkc

ил 0,09

0,06

ТЧ80, ТЧ100, ТЧ125

Тиристоры кремниевые диффузионные p-n~p~i. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токоа частотой до 25 000 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жёсткими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономннала и полярности силовых выводов приводится на корпусе. Масса не более 350 г.

5i,4


Электрические параметры

Импульсное напряженке в открытом состоянии при /ос, н =3,14 /ос, ср таз, (и = 10 МС не болев;

ТЧ125

2,6 В

2,0 В 1,85 В



rroporoBoe напряжение при Т.=Ш^С не более:

ТЧ80 - ;......... ,4В

ТЧ 00 . . .......... ,3В

ТЧ125 . .......

iiipp постоянное напряжение управления при

OTflPfnB lie более:

?- :;25=С. /у.от=0.9 А........ 2.5 В

7-;=110°С. /у.от=0,3 А........ 1.0 В

пип.г1юш.ее постоянное напряжение управления при Ч/зс йу=20 Ом. 7и = 110С не менее;

ТЧ80 ............. 0,2 В

ХЧ100. T41Z5 . ......... 0,5 В

лпитоояюшийся нмпульсный ток в закрытом состоянии

ппи Uc, ==(;-<=.. йу = >, Гп-ИОС не более . . 40 мА

Ток удержания при Ry=oo не более...... 250 мА

Ток включения при /пр, и:=2 А, di/ldt=\ А/мкс, (у =

=2 мкс не более..... ..... 0,43 А

ПоВГОрЯЮЩИЙСЯ нмпульсный обратный ток при Уоар.

=и<,йр.л- Ry = ° Tn = li(fC не более..... 40 мА

Обратный ток восстановления при Uaap и=100 В, /о|),и=ог. шал, (dloc/dl)с:п=20 А/мкс, Гп=110°С не

более.............. 25 А

Отпирающий постоянный ток управления при изв = - 12 В не более:

Та = -50=0........... 3.0 А

fi-ZS-C............ 0,9 А

ГпИОС............ 0,3 А

Неотпирающий постоянный ток управления при f/gc и=я

=£/зс,о, Лу = 20 Ом, fnUOC не менее - . . 2 мА

Время включения при £/зс = 100 В, /ос. и^/ос. ср max,

dtoc/rf= 25 Л/мкс, /у, пр, а = 4 А. rf(y/rf = 5 А/мкс,

(j = ]0 мкс не более.......... 5 мкс

Время задержки при [/зс=100 В, /ос, м= /рс сртах, dioc/dt = 25 А/мкс, /у р, =4 А, dijdt - b А/мкс. fy=

= 10 мкс не более...........1,5 мкс

Время выключения при t/эс. я =0.67 (/ас. а, dUac/rff - =;frf ac/rfOiP- (/ойр, я=100 В, /оо, н = /ос. ср max. dioJd;=25 А/мкс, (dioc/df)aa = 5 Л/мкс, Гдк=110°С не

лее .............12-30 мкс

Ремя обратного восстановления для групп по Uai<a при

1 ври=100 В, /оо. = /ос.сртьх. dioc/dt=2b А/мКС,

(eJoc/dOcD=5 А/мкс, 7n = U0*C не более:

ФУппа б............ 2,7 мкс

РУппа 7............ 2,5 ыкс

Фуппа 8............ 2.4 мкс

группа 9............ 2,3 ыкс

*Ряд обратного восстановления для групп по /выкл прн

ЛЧТ** В, /ос. и = /оо. ер max. dfoc/d/=25 А/МКС,

Woc/dO.B = 5 А/мкс, Го = 110С не более:

РУПпа 6........... . 8.4 мкКл

рУПпа 7........... 7.0 чиКл

группа 8............ 6,3 нкКл

П>>ппа 9.....,...... 5,9 мкКл

8 3,к. 13 225



Динамическое сопротивление в открытом состояннн при

70=110° С не более:

ТЧ80............. 2,6 мОм

ТЧШО............. 1.5 мОм

ТЧ12о............. 1.0 мОм

Тепловое сопротивление переход-корпус не более . , 0,18 С/Вт

Тепловое сопротивление переход-среда не более . 1,34С/Вг

Предельные эксплуатационные данные

Повторяюшееся импульсгюе напряжение в закрытом состоянии;

ТЧ80 ............. 300-900 В

ТЧЮО............. 300-1000 В

ТЧ125 ............. 300-1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом

состоянии............. 1,12(/,о,и В

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии OJUac. а В Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии........... 0,5(/аа, и В

Повторяющееся импульсное обратное напряжение:

ТЧ80 ............. 300-900 В

ТЧЮО............. 300-1000 в

ТЧ125 ............. 300-1200 в

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение . . 1,12(/овр, п В Рабочее импульсное обратное напряжение .... OJVoap, п В Максимально допустимое обратное постоянное напряжение .............. 0,5(/оСр, п В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uac, и=0,67 изо, IT, TnllOC . . 50-500 В/мкс

Максимально допустимое обратное постоянное напркже-

ние управления........... 1,5 В

-Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при /=50 Гц, р=180°, 7 =70°С:

ТЧ80............ . 80 Л

ТЧЮО............. 100 А

ТЧ125 ............. 125 А

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /=50 Гц, p=180 Гк=70С;

ТЧ80 ............. 126 А

ТЧЮО............. 157 А

ТЧ125 ............. 196 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии

при Lonp=0, (о = Ю мс, Гп=110°С;

ТЧ80 ............. 2400 А

ТЧЮО............. 2800 А

ТЧ125 ............. 3400 А

Защитный показатель при (/овр==0, в=Ю мс, Гпаг = 110* С:

ТЧ80 ............. 28,8 кАс

ТЧЮО............. 39,2 кА2.с

ТЧ125 . . . ,......... 57,8 кА*-с

22fi



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190