с И/НЕ, соответственно изменяется сигнал на РУ и зарядном коммутаторе.

Запуск схемы СУМ-10 на разрядку накопителя производится от внешнего датчика. Его сигнал, сформированный триггером ТгШ, поступает на одновибратор Бл, последний срабатьшает и запускает одновибратор 3d/, а вместе с ним и узлы ФИ1, Зд2 и ФИ2 аналогично тому, как это было в частотном режиме. Накопитель в результате разряжается. На время разрядки зел Бл снимает отрицательный потенциал со входа И/НЕ, что блокирует подачу команды от УС на зарядку во избежание перехода лампы в непрерывный режим горения.

По окончании импульса с одновибратора Бл на обоих входах И/НЕ вновь появляются отрицательные потенциалы с выхода узлов УС и Бл, что, как отмечалось, в конечном итоге приводит к зарядке накопителя до заданного уровня. Накопитель ждет следующего цикла. Как видно из изложенного, точность предразрядного значения напряжения в данном режиме несколько ниже, чем в предыдущих (зависит от гистерезиса при срабатывании и отпускании сравнивающего устройства). В приборе СУМ-10 предусмотрено переключение на управление с дистанционного пульта, с которого можно осуществлять: выбор частотного или одиночного режима работы, регулировку и индикацию напряжения накопителя, одиночный запуск.

В схеме СУМ-10 применены модули МТ. Функции задержки 301, 302 и блокировки Бл выполняет одновибратор МТ-10В, собранный по схеме заторможенного мультивибратора на транзисторах, функции ФИ1 и ФИ2 - тиристорный формирователь импульсов МТ-1ФИ. Триггер Тг с коллекторно-базовыми связями собран на транзисторах (МТ-1Тг). Реле управления РУ (МТ-1РУ) построено на базе магнитного мультивибратора Роэра,. управляемого входным транзисторным ключом. Все модули питаются от одного блока питания МТ-2БП.

На рис. 4.5 показана схема сравнивающего устройства МТ-2УС [82]. Сравнение входных напряжений уставки f/ycT и обратной связи Иос отрицательной полярности осуществляется на диодах Д2 я ДЗ в балансном включении. Если i7ycT> oc (по абсолютной величине), то диод ДЗ открыт, а Д2 закрыт. В этом случае положительный импульс с блокинг-генератора (собран на транзисторе Т1) проходит через конденсатор С4, диоД

ДЗ и конденсатор С9 на первый вход триггера (собран на транзисторах Т2 и ТЗ) и перебрасывает его в первое устойчивое состояние (ТЗ - закрыт, а Т2 - открыт). Б- момент, когда напряжение Ыос достигнет f/уст и несколько его превысит, открывается диод Д2, а ДЗ запирается. Первым же импульсом с блокинг-генератора, прошедшим через Д2 и С8, триггер перебрасывается во второе устойчивое состояние {ТЗ открыт, Т2 закрыт).

+5 Ncpn. -lie i/cc

l/ycr Вых.1 Bblx.Z Bbix.i Вых.It

Рис. 4.5. Схема сравнивающего устройства МТ-2УС

Если ОС снова станет меньше f/уст, то триггер перейдет первоначальное состояние. Таким образом, состояние триггера полностью определяется знаком разности входных напряжений. В виде потенциала выходной сигнал может быть снят непосредственно с коллекторов триггера либо с развязывающего усилителя Т4.

Наряду с относительно высокой чувствительностью {порядка 50 мВ) схема МТ-2УС обладает и другими достоинствами. Входное сопротивление определяется запертым диодом Д2 (ДЗ) и в случае применения кремниевых приборов превышает 1 МОм. Уровень максимальных входных напряжений зависит от предельно допустимых обратных напряжений для диодов Д2, ДЗ; S данной схеме диапазон сравниваемых напряжений Находится в пределах 1-100 В. Балансное включение

диодов обеспечивает стабильность схеме в условиях широкого изменения температуры окружающей среды. Потенциальный выход удобен для запуска и надежного удержания последующих узлов в необходимом состоянии (например, триггера в положении Нет зарядки ), для осуществления режима автоматической подзарядки накопителя и т. п.

Одной из особенностей, которую следует учитывать при разработке схем, является то, что системы управления работают в условиях сильных импульсных помех, возникающих как внутри самой установки, так и вне ее. Например, внутри установки помехи появляются в момент включения тиристоров зарядного и разрядного коммутаторов, при срабатывании блоков зажигания, во время зарядки и разрядки накопителя и т. п. Без принятия специальных мер по подавлению помех и повышению помехоустойчивости узлов системы управления оказываются практически неработоспособными.

При разработке конкретных типов СУМ, в частности СУМ-10, использованы схемные и конструктивные методы ослабления влияния помех (экранирование, рациональная компоновка, монтаж и развязка цепей). В схемах модулей предусмотрены фильтры по питанию и по выходным цепям (например, в схеме на рис. 4.5 для этой цели служат С1, С2 и Др, С5 - С7). Временная диаграмма взаимодействия узлов также строилась с учетом возможных воздействий помех. В структурную схему были введены дополнительные узлы и связи (узел блокировки Бл, узел ФОМ). Помехоустойчивость отдельных каскадов, работающих в ключевом режиме, достигалась за счет повышения запирающего напряжения на закрытых транзисторах и увеличения степени насыщения открытых транзисторов.

Весьма эффективным методом повышения помехоустойчивости схем является преобразование сигнала из аналоговой в аналого-импульсную форму. На рис. 4.6 приведена схема генератора тактовых импульсов МТ-1ГТИ, реализующая этот метод [83]. Работу схемы рассмотрим с момента, когда конденсатор Св времяза-дающей цепочки RbC, заряженный до отрицательного напряжения в предыдущем цикле, начинает медленно разряжаться через резистор R. Отрицательный потенциал с конденсатора Св запирает транзистор Т1 (в диодном включении), что обеспечивает работу сравниваю'