щего органа схемы - блокинг-генератора, выполненного на транзисторе ТЗ, е режиме свободных автоколебаний с частотой в несколько десятков килогерц. При этом

положительная обратная связь блокинг-генератора образуется цепочкой: база транзистора ТЗ, обмотка 2-5 трансформатора Тр1, транзистор Т2 (в диодном вклю-

учении), конденсатор СЗ и эмиттер транзистора ТЗ. Да*

Рис. 4.6. Схема генератора тактовых импульсов МТ-1ГТИ

ее импульсы с блокинг-генератора, усиленные каскадом :а транзисторе Т4, заряжают конденсатор С5 до поло-кительного потенциала. Этот потенциал надежно удерживает транзистор Т5 в запертом состоянии. Вследствие того тиристор Д6 также закрыт и на его аноде имеется положительное напряжение, запирающее диод Д5. I С течением времени конденсатор Св разряжается; на его обкладке, подсоединенной к резистору R, появляется небольшой положительный потенциал, который .открывает Т1 и запирает Т2. Запертый транзистор Т2 размыкает цепь обратной связи, срывая автоколебания блокинг-генератора. Импульсы на его выходе исчезают, это приводит к быстрой перезарядке С5 до отрицатель-ньго потенциала (через резистор R9), отпиранию Т5 и жлюченню Д6. Потенциал анода Д6 становится отри- ,ательным, поэтому одновременно открывается диод Д5. этого момента начинается быстрая зарядка Св до

исходного значения, равного напряжению питания. По окончании зарядки Св тиристор Д6, диод Д5, транзистор Т1 запираются, а Т2 переходит в проводящее состояние. Работа блокинг-генератора возобновляется и начинается новый цикл работы устройства. Далее процессы в схеме протекают аналогично рассмотренному.

Как видно из описания работы устройства, в течение всего времени медленной разрядки времязадающего конденсатора сравнивающий орган (блокинг-генератор) вырабатывает импульсы с высокой частотой, т. е. форма аналогового сигнала с Св преобразуется в импульсную. При воздействии импульсной помехи на сравнивающий орган как на наиболее чувствительный узел блокинг-генератор выдает дополнительный импульс, который, сложившись с основными импульсами частоты заполнения, не изменит общей картины процессов в схеме: дополнительный импульс вызовет еще более сильное запирание транзистора Т5, что является положительным фактором. В распространенных генераторах обычно отсутствует преобразование сигнала с времязадающего конденсатора, поэтому каждый импульс помехи может вызвать преждевременное срабатывание сравнивающего органа и сбой в работе всего устройства. В одинаковых условиях генератор с преобразованием сигнала практически не чувствует помех, а в других генераторах с каждым импульсом помехи наблюдается сбой.

В принципе, наводка может воздействовать на схему рассматриваемого генератора, когда импульсы с блокинг-генератора прекращаются, т. е. во время быстрой зарядки конденсатора Св. Однако время зарядки Св существенно меньше периода следования выходных импульсов с устройства (большая скважность), поэтому вероятность воздействия помехи здесь очень мала и будет выражаться в незначительном мгновенном изменении периода следования. Но и в этом случае вероятность воздействия помехи можно еще более уменьшить за счет перевода транзистора блокинг-генератора из линейного в насыщенный режим. В схеме MT-irTM это осуществляется следующим образом. ; Зарядка конденсатора Св до исходного значения производится через резистор R1. Часть тока зарядки ответвляется с помощью диода Д1 и направляется в базу транзистора ТЗ; при этом ТЗ переходит из линейного режима, определяемого делителем R3, R4, в насыщен'

ный. Насыщение транзистора ТЗ повышает помехоустойчивость устройства во время зарядки Св. Рассмотренный метод повышения устойчивости работы схем в условиях сильных помех может быть применен и для других функциональных узлов.

Выходной сигнал в генераторе образуется во время быстрой зарядки Св и выделяется на резисторе R12. Схема МТ-1ГТИ обеспечивает амплитуду выходных импульсов 10 В, длительность 10 мкс, период следовав ния от 100 с до 0,01 с при использовании во времяза* дающей цепочке конденсатора емкостью порядка 30 мкФ и переменного резистора с сопротивлением до 1,5 МОм.

5. Электропитание излучателей при повышенной частоте повторения импульсов

5.1. Схемы источников питания для твердотельных излучателей

Схемы зарядки емкостного накопителя энергии от сети переменного напряжения с нулевой фазой включения зарядного коммутатора оказались весьма эконо-,мичными и удобными для построения зарядных устройств импульсных источников питания газоразряд-ных ламп с повышенной частотой повторения разрядных Римпульсов [57-59]. В схемах с нулевой фазой включения накопительный конденсатор начинает заряжаться при включении зарядного коммутатора в момент перехода синусоиды сетевого напряжения через нуль. Зарядный ток в этом случае ограничивается скоростью нарастания напряжения и имеет форму отрезка косинусоиды. В процессе зарядки используется менее четверти периода синусоиды. По этой причине потребление энергии от сети получается относительно неравномерным. Такие схемы целесообразно применять при небольших емкостях накопителя и небольших запасаемых энергиях (до нескольких сотен джоулей). Однако схемы с нулевой фазой включения достаточно просты и могут применяться, например, в системах питания твердотельных излу-

чателей на итрий-алюминиевом гранате, оптимальные кастоты повторения импульсов излучения которых 50- 100 Гц.-f 79