134. Katoh М., Akalwa Y. 4-GHz intergrated circuit mixer.- IEEE Trans., 1971. V. MTT-19, N 7, p. 634-637.

135. Kenned] W. K. MW semiconductor and solid state components.- Microwave J., 1978, V. 21, N 11, p. 66-83.

136. Knorr J. В., Kuchler K. D. Analysis of coupled slots and coplanar strips on dielectric substrate.- IEEE Trans., 1975, v. MTT-23, N 7, p. 541-548.

137. Knorr J., Saenz J. End effect in a shorted slot.- IEEE Trans., 1973. V. MTT-21, N 9, p. 579-580.

138. Kowalski G. Coplanar oriented meander lines.- AEO, 1974, N 6, . 257-265.

139. Kurpis G. P., Taub J. J. Wide-band X-band microstrip image rejection balanced mixer.-IEEE Trans., 1970, v. MTT-18, N 12, p. 1181 - 1182.

140. Lange J. Interdigitated stripline quadrature hybrid.- IEEE Trans., 1969, V. MTT-17, N 12, p. 1150-1151.

141. Leichti C. A., Tillman R. Design and performance of microwave amplifiers with GaAs Schottky-gate-field-effect transistors.- IEEE Trans., 1974. v. MTT-22, N 5, p. 573-584.

142. Mellor D. Calculator-based synthesis routine speeds microwave amplifiers design.- lEEEMTT-S International Microwave Symposium Digest, 1977.

143. Microwave J., 1978, N 6, p. 2-156.

144. Microwave selicon windows for high-powei brad-band switching application. Mortenson K. E., Borrego J. M., Bakerman P E., Gutman R J. IEEE J. Solid-state Circuits, 1969, v. SC-4, N 12, p. 413-415.

145. Ogawa H., Aikawa M. and Morita K. K-band integrated double-balanced mixer.- IEEE Trans., 1980, v. MTT-28, N 3, p. 180-185.

146. Oxiey T. H., Hilsden F. The performance of back diodes as mixers and detectors at microwave frequencies.- Int. lERE (Radio and Electron. Eng.), 1966, V. 31, p. 181 - 184.

147. Parad L., Moynihan R. Split-tee power devider.- IEEE Trans.. 1965, V. MTT-13, N 1, p. 23-29.

148. Plate W. Lases-controlled switching of de or rf signals up to GHz range: a new field of laser application.-Optics and Laser Technology, 1978, V. 10, N 1, p. 40-43.

149. Reindel J., Printed W. G. Circuits trim component costs.- Microwaves, 1980, V. 19, N 10, p. 60-64.

150. Roberts R. Effect of tolerences on the performance of microstrip parallel-coupled bandpass filters.- Electronics Letters, 1971, v. 7, N 10, p 291-295.

151. Schneider M. V., Snell W. W. Harmonically pumped stripline down-converter.- IEEE Trans., 1975, v. MTT-23, N 3, p. 271-277.

152. Schick В., Kohler J. Letters an aproved microstrip to microslot transition.- IEEE Ttans., 1976, v. MTT-24, N 4, p. 231-233.

153. Silvester P. ТЕМ wave properties of microstrip transmission Uais.- Proc. lEE, 1968, V. 115, N 1, p. 43-52.

154. Silvester P., Benedek P. Equivalent capacitances of microstrip open circuits.- IEEE Trans., 1972, v. MTT-20, N 8, p. 511-516.

155. Slot line characteristics. Mariani E. A., Heinzman C, Agrios J. P., Cohn S. B. IEEE Trans., 1969, v. MTT-17, N 12, p. 1091 - 1096.

156. Starski J. P. Optimization of the matching network for a hybrid coupler phase shifter.- IEEE Trans., 1977, v. MTT-25, N 8, p. 662-666.

157. Torrero E. Fokus of transistors.- Electronic Design, 1973, v 21. N 3, p. 46-53.

158. Robinson G. Resonant frequency calculations for microstrip cavities.- IEEE Trans., 1971, v. MTT-19, №7, p. 623-627.

оглавление

Введение....................... 3

Глава 1. Расчет элементов гибридных интегральных схем...... 5

1. Понятие гибридной интегральной схемы СВЧ......... 5

2. Основные линии передач ГИС СВЧ............. 5

3. Расчет параметров линий................ 8

Глава 2. Устройства деления (суммирования) мощности СВЧ .... 20

1. Применение делителей (сумматоров) мощности......... 20

2. Элементы многоканальных делителей............ 22

3. Многоканальные делители. Алгоритмы расчета многоканальных делителей ....................... 38

4. Четырехканальные делители мощности............ 43

5. Делители мощности на 64 канала............. 46

6. Характеристики делителей, выполненных из мостовых устройств . . 50

7. Рекомендации для проектирования делителей (сумматоров) мощности . 52

Глава 3. Избирательные устройства ............. 53

1. Основные требования к избирательным устройствам и их параметры . 53

2. Аппроксимация функций рабочего затухания......... 56

3. Расчет топологий фильтров............... 57

4. Анализ частотных характеристик............. 62

Глава 4. Смесители .................. 70

1. Параметры смесителей и основные требования к ним....... 70

2. Выбор активных элементов............... 72

3. Схемы смесителей .................. 79

4. Математические модели смесителей............. 84

5. Смесители на комбинациях линий передач........... 92

6. Результаты расчетов и экспериментов............ 100

Глава 5. Усилительные устройства............. 109

1. Требования к малошумящим усилителям СВЧ и их параметры . . .109

2. Усилительные элементы ................ ПО

3. Математическая модель транзистора............ 112

4. Расчет усилителен................... 114

5. Использование ЭВМ при проектировании усилителей...... 122

6. Топологические схемы микроэлектронных СВЧ усилителей .... 124

7. Многокаскадные усилители............... 125

8. Влияние внешних факторов на работу усилителей с ПТ..... 130

Глава 6. Устройства, управляющие мощностью........ 131

1. Требования к устройствам и их классификация......... 131

2. Управляющие элементы ................ 132

3. Математический аппарат для расчета устройств на сосредоточенных элементах .................... 135

4. Устройства на сосредоточенных управляющих элементах..... 137

5. Устройства на элементах с распределенными параметрами .... 146

Глава 7. Фазовращатели ................. 150

1. Параметры полупроводниковых фазовращателей........ 150

2. Схемы фазовращателей и анализ характеристик фазовращателя с направленным ответвителем ................ 154

Глава 8. Ограничители мощности.............. 160

1. Параметры ограничителей мощности............ 160

2. Ограничительные диоды................. 161

3. Схемы ограничителей мощности и их расчет......... 166

Список литературы................... 177

1 Николай Тимофеевич Бова I,

канд. техн. наук Юрий Георгиевич Ефремов, канд. техн. наук Валерий Викторович Копии, канд. техн. наук Александр Федорович Невгасимый, канд. техн. наук Борис Давидович Солганик, канд. физ.-мат. наук

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА СВЧ

Редактор Н. М. Корнильвва Оформление художника

П. И. Яресько Художественные редакторы 1. А. Дикарев, В. С. Шапошников Технический редактор Н. А. Бондарчук Корректор Г. А. Высоцкая

Информ. бланк № 2268

Сдано в набор 10.05.83. Подписано в печать 02.12.83. БФ 49894.

Формат 60x90Vie. Бумага для глубокой печати.

Гари. лит. Печ. выс . Усл. печ. л. 11,5 J Усл. кр.-отт. 12,64. Уч.-изд. л, 12.73. Тираж 6000 экз. Зак. 4-13. Цеиа 1 р. 10 к.

Издательство Техника . 252601, Киев, 1, Крещатик. 5.

Отпечатано с матриц книжной фабрики имени М. В. Фрунзе на книжной фабрике Коммунист , 310012, Харьков-12, Энгельса, II.