выходного блока аппаратуры от высоковольтных выбросов н электромагнитных наводок со стороны периферийной аппаратуры. Для выполнения этих условий в линию передачи вводят оптическую связь.

В схеме, показанной на рнс. 7.2, в.ходной светодиод оптопары возбуждается от логической микросхемы. Сигнал от. фотодиода по- . ступает на вход транзисторного усилителя. Усилитель формирует уровни напряжений, согласованные с нагрузкой.

Диодные оптопары могут с успехом использоваться для гальванической развязки отдельных логических блоков в сложных комплексах аппаратуры. На рис. 7.3 приведена схема организации такой развязки. Из блока 1 в блок 2 сигналы про.ходят через диодную оптопару. На выходе оптопары включается транзисторный усилитель.

Рис. 7.3. Схема межблочной гальванической развязки

Рис. 7.4. Схема включения оптопар в фотогеиераторном режиме

В настоящее время в логических устройствах все более широко используются интегральные микросхемы на основе комплементарных МДП (металл-диэлектрик - полупроводник) транзисторов. Особенностью этих. микросхем является чрезвычайно малый управляющий входной ток. Поэтому для управления микросхемами нет необходимости в усилении выходного тока; оптопары. Оптопары используются при' этом в фотогеиераторном режиме. Для получения сигнала с требуемой амплитудой фотодиоды нескольких оптопар соединяются последовательно (рис. 7.4). Входные излучающие диоды могут соединяться либо параллельно, либо последовательно в зависимости от характеристик входного сигнала.

7.2. СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ

АОД101А, АОД101Б, АОД101В, АОД101Г, АОД101Д, ЗОД101А, ЗОД101Б, ЗОД101В, ЗОД101Г

Оптопары диодные. Излучатель - диод арсёнидогаллиевый, приемник-кремниевый фотодиод (излучатель оптопары ЗОД101А на основе твердого раствора галлий - алюминий - мышьяк)..Выпускаются в металлостеклянном корпусе. Масса не более 1,1 г.

о

Электрические параметры при 7окр=25°С

[ходное напряжение при /вх=10 мА, не более:

АОД101А, АОД101Б, АОД101Б, АОД101Г,

ЗОД101А, ЗОД101Б, ЗОД101В, ЗОД101Г .... 1,5 В

АОД101Д................ 1,8 В

Коэффициент передачи по току при /вх=10мА, не менее:

АОД101А, АОД101Д, ЗОД101А........ 1 %

АОД101Б, ЗОД101Б, ЗОД101Г........ 1,5%

АОД101В, ЗОД101В............ 1,2%

АОД101Г............... 0,7%

Время нарастания и спада выходного импульса при /вх=20 мА, не более:

АОД101А, ЗОД101А............ 100 НС

АОД101Б, АОД101Г, ЗОД101Б, ЗОД101Г .... 500 не

АОД101В, ЗОД101В............ 1000 НС

АОД101Д................ 250 НС

юдной обратный темновой ток, не более:

АОД101А, АОД101В, ЗОД101А. ЗОД101В, ЗОД101Г 2 мкА

АОД101Б, ЗОД101Б ...... 8 мкА

АОД101Г................. 10 мкА

АОД101Д................ 5 мкА

Сопротивление изоляции, не менее:

АОД101А, АОД101Б, АОД10Ш, АОД101Д.

ЗОД101А, ЗОД101Б, ЗОД101В, ЗОД101Г .... 10 Ом

АОД101Г................. 5-10 Ом

Проходная емкость, не более........... 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Входной постоянный ток............ 20 мА

Входной импульсный ток при Тя=100 мкс...... 100 мА

Входное обратное напряжение.......... 3,5В

Выходное обратное напряжение:

АОД101А, АОД101В, АОД101Г, АОД101Д,

ЗОД101А, ЗОД101В............ 15 В

АОД101Б, ЗОД101Б............ 100 В

ЗОД101Г................. 40 В

ыходное обратное импульсное напряжение при Ти= .100 мс:

ЗОД101А, ЗОД101В............ 20 В

ЗОД101Б................. 100 В

ЗОД101Г................. 60 В

-614 121

Продолжение

Напряжение изоляции . ............ ЮО В

Пиковое напряжение изоляции при Ти=10 мс . . . . 200 В Диапазон рабочей температуры окружающей среды , . -60-е-

+70 С

/70 С

ADMtOfA-AVMIDlA

5 UebisMfii

ъодюп

70 С

-ео -4-0 -20 о 20 40 Т,Х

5 10 1 1,.мА

0,4 0,3 -0,2 -0,1

о

А0Д101А--А0Д101Л

0,1 0,2 0,3 0,4

Рис. 7.5. Выходные характеристики

Рис. 7.6. Передаточная характеристика

Рис. 7.7. Зависимость коэффициента передачи от температуры

Рис. 7.8. Передаточная характеристика

Рис. 7.9. Выходная характеристика в фотогенераторном режиме