|
Главная Микроэлектронные устройства сверхвысоких частот 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 [ 15 ] 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Если обозначить элементы матрицы (4.15) F/.j, то матрица проводимости смесительного диода принимает вид (4.16) Определим элементы матрицы (4.16) . Смесительный диод представим эквивалентной схемой (рис. 4.7, а), для которой составляется система дифференциальных нелинейных уравнений, из решения кото- д! {U) д! , рои находят величины -щр и qJj, как функции времени, оатем эти функции раскладывают в ряд Фурье по частоте гетеродина. Система дифференциальных уравнений решается на ЭВМ методом Рунге-Кута и имеет вид t/o + и. cos Ы - R,I = t/д; f/д = LBdI/dt + RJ + U; I = i (e - 1) + C{U) dU/di; C(U) = C (I - i K6ap)/2. где a - коэффициент, характеризующий наклон вольт-амперной характеристики диода; Iq - обменный ток диода; С, - емкость перехода диода при нулевом смещении; Убар - потенциальны. барьер (являются параметрами диода); Uo - постоянное смещение на диоде; Ur - амплитуда напряжения гетеродина. Функции, раскладываемые в ряд Фурье, имеют вид g = б/ iU)/dU = d [i ie - l)]/dU\ a = dl/dU = d[C (U) dU/dt]/dU j Элементы матрицы (4.15) определяют численным методом по формулам т т gk = \ gcos{k(ui)dt; a = Yacos{k(x>t)dt, 0 0 где й = О, 1, 2. Если исключить внутренние узлы схемы по методу работы Г981, то матричное уравнение смесительного диода (4.16) в терминах параметров проводимости /с /п L/*J Fxi Y 13 23 33-J
(4.17) Такой матрице соответствует эквивалентная схема на рис. 4.7, б, где каждая пара полюсов работает лишь на одной частоте. В реальных схемах очень часто приходится соединять все полюса с землей гетеродин 12 3 4 5 6 7 а Рис. 4.8. Электрическая схема БС (а): I - режекторный фильтр зеркальной частоты; 2 - трехдецибельный ответвитель; 3 - шлейфы согласования диодов: 4 - смесительные диоды; 5 - шлейфы. Закорачивающие СВЧ; 6 - шлейфы трансформаторов ПЧ; 7 - схема сложения сигналов ПЧ; структурная схема БС (б) Рис. 4.9. Подсхема СВЧ (а), топология подсхемы № I {б): If - иезакороченные шлейфы, подавляющие зеркальную частоту; 1, i, - закороченные шлейфы, компенсирующие реактивности диодов; /5-- соединительные линии 3 г. подает N1 12 -О подсхема О 4 1 диод1 3 т
ена подсх , 2 схема подсхема 1 N=23 ~8ыход f 4 диодг 5 г -О -О Гетеродин г, Li Ls.Z5 I Сигнал 7 / \ g г 9 Мшд U?.Z7 Мат' V( i. iz, Рис. 4.10. Подсхема № 2 ПЧ (а), топология подсхемы № 2 (б): It, 2 - шлейфы, закорачивающие СВЧ после диодов; I, и г ~ схема сложения сигналов ПЧ; и-1,-~ грансфо^маторы через какую-либо нагрузку (например, фильтр), поэтому необходимо преобразовать эквивалентную схему диода так, как показано на рис. 4.7, в. Такой схеме соответствует неопределенная матрица проводимости шестого порядка, для которой справедливы равенства [981
(4.17а) fc=i Полученная модель смесительного диода позволяет исследовать математические модели смесителей при любом включении диода. Математическая модель микрополоскового балансного смесителя включает математические модели его составных частей: смесительного диода, направленного ответвителя, шлейфов схем согласования и соединительных линий. Если представить математическую модель диода выражением (4.17 а), то расчет БС целесообразно проводить в терминах параметров проводимости. Электрическая схема БС показана на рис. 4.8, а, структурная схема его модели - на рис. 4.8, б. В этой модели все элементы выражены через У-параметры (рассчитанные на частотах: / - сигнала, - зеркальной, / - промежуточной), поэтому для расчета всего смесителя можно применить метод многополюсных подсхем [98]. Математическую модель БС строят следующим образом: выражают в К-матрицах все элементы схемы рис. 4.8, б; сокращают внутренние узлы в подсхемах на рис. 4.9 и 4.10; связывают F-матрицы всех элементов. В результате получают .модель БС, которая выражается матрицей проводимости 18-го порядка. Определим элементы этой матрицы. Электрическая схема СВЧ (подсхема № 1) показана на рис. 4.9, а, ее матрица проводимости имеет вид (см. стр. 89). Эта матрица составляется по правилам, указанным в работе [98] (подразумевается, что 1 = = 0). Элементы матрицы проводимости трехдецибельного ответвителя проводимости шлейфов и соединительных линий приведены в работе [68], где р = 2я/Л; - волновое сопротивление линии. Подсхема № 2 ПЧ показана на рис. 4.10, а, ее матрица проводимости имеет вид (см. стр. 90). Эта матрица составляется по тем же правилам, что и матрица (4.18). Такую схему суммирования ПЧ с помощью развязанных сумматоров мощности целесообразно применять при ПЧ больше 600 МГц. При отсутствии сумматоров матрица значительно упрощается. Для сокращения порядка матриц подсхем СВЧ и ПЧ до 3-го порядка пользуются формулами работы [98]. с со. с со. с с : ,? с с СО. U0 с с с с .у с I м > о ol I I I I с с с с (Si n I k CO. С с
|